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Transistors à effets de champ.


Transistors à effets de champ
» Les dispositifs semi-conducteurs organiques ont l'avantage de permettre des traitements aisés et d'être peu coûteux et polyvalents. Les recherches dans le domaine de l'émission laser à injection dans des semi-conducteurs organiques à l'état solide ne cessent de progresser. Ceci a permis la production d'un transistor à effet de champ électroluminescent organique (OLET) qui présente des caractéristiques de diffusion ambipolaire prononcées.

Les quatre organes de commande des transistors à effet de champ sont la grille, le drain, la source et le corps. Le courant passe le long d'une voie semi-conductrice appelée un canal. Bien que le diamètre physique de ce canal soit fixe, sa conductivité peut varier. Ceci est possible par l'application d'une tension à une électrode de contrôle appelée la grille. Cette modification de la tension de la grille provoque une grande variation dans le courant transmis entre les deux extrémités du canal, à savoir de la source au drain. Selon le type de matériau semi-conducteur, il existe deux types de canaux: les canaux n et les canaux p. Dans les matériaux de type n, les porteurs de charge sont les électrons alors que dans les matériaux de type p, les charges électriques sont principalement transmises sous la forme de déficits d'électrons appelés trous.

La difficulté principale, lors de la réalisation d'un laser à injection organique, a été de satisfaire le besoin en densité de courant élevée. Les efforts se concentrent donc sur l'optimisation de la capacité du dispositif à transmettre le courant tout en limitant la densité du courant nécessaire. Dans le premier cas, le matériau cristallin organique de transport de charge dans une configuration de transistor à couche mince est utilisé. Pour atteindre le second objectif, un complexe métallique composé d'un centre accepteur et émetteur d'énergie tient lieu de système électroluminescent de transfert d'énergie extrêmement efficace.

L'association de ces deux techniques a permis aux transistors à effet de champ présentant des caractéristiques de diffusion ambipolaire d'utiliser à la fois des canaux n et des canaux p. Ceci résulte de l'utilisation d'une couche organique de transport ambipolaire composée d'une couche mince co-évaporée de deux matériaux organiques, du transport de trous d'électrons et des électrons. L'intensité de la lumière est contrôlée par la tension drain - source et la tension de grille.

La structure du dispositif indique la façon d'ajuster la mobilité du trou et des électrons par la co-évaporation de deux semi-conducteurs organiques différents.

Source d'information: Résultat du programme IST financé par l'UE

Type de collaboration recherchée: Recherche avancée ou soutien au développement; Partenariat privé-public; Disponible pour conseil
Droits de propriété: Brevet(s) en cours mais pas encore enregistré(s)

Date : 05/01/2007

Contact :

MUCCINI, Michele (Dr)

CNR
Head of Unit
via P.Gobetti 101
40129
Bologna
ITALY

Tel: +39-051-6398521
Fax: +39-051-6398540
URL: http://www.ism.bo.cnr.it


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